- 包装/箱 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,666
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8 | CoolMOS™ G7 | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSFN | PG-HSOF-8 | 106W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 17A (Tc) | 150 mOhm @ 5.3A, 10V | 4V @ 260µA | 23nC @ 10V | 902pF @ 400V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,087
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON | U-MOSVIII-H | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | 700mW (Ta), 30W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 17A (Tc) | 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V | 2.5V @ 200µA | 23nC @ 10V | 2000pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
671
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP | U-MOSVIII-H | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-SOP Advance (5x5) | 1.6W (Ta), 34W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 17A (Tc) | 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V | 2.5V @ 200µA | 23nC @ 10V | 2000pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V |