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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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ON Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP (3.3x3.3) 30W (Tc) P-Channel 30V 54A (Tc) 7 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 135nC @ 10V 5785pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
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ON Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP (3.3x3.3) 30W (Tc) P-Channel 30V 54A (Tc) 7 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 135nC @ 10V 5785pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
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ON Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP (3.3x3.3) 30W (Tc) P-Channel 30V 54A (Tc) 7 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 135nC @ 10V 5785pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 50W (Tc) N-Channel 30V 14A (Ta), 35A (Tc) 7 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 26nC @ 10V 1590pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 50W (Tc) N-Channel 30V 14A (Ta), 35A (Tc) 7 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 26nC @ 10V 1590pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 PowerTrench® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 50W (Tc) N-Channel 30V 14A (Ta), 35A (Tc) 7 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 26nC @ 10V 1590pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
TSM070NA04LCR RLG
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PDFN (5x6) 113W (Tc) N-Channel 40V 91A (Tc) 7 mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 23.5nC @ 10V 1469pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
TSM070NA04LCR RLG
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PDFN (5x6) 113W (Tc) N-Channel 40V 91A (Tc) 7 mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 23.5nC @ 10V 1469pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PDFN (5x6) 113W (Tc) N-Channel 40V 91A (Tc) 7 mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 23.5nC @ 10V 1469pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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