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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
5 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMG302PU-7
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RFQ
1,498
有现货
Diodes Incorporated MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 320mW (Ta) P-Channel 25V 170mA (Ta) 10 Ohm @ 200mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V 27.2pF @ 10V 2.7V, 4.5V 8V
DMG302PU-13
单位
$0.10
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RFQ
1,998
有现货
Diodes Incorporated MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 320mW (Ta) P-Channel 25V 170mA (Ta) 10 Ohm @ 200mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V 27.2pF @ 10V 2.7V, 4.5V 8V
T2N7002AK,LM
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$0.02
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RFQ
3,077
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 60V 0.2A U-MOSVII-H Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 320mW (Ta) N-Channel 60V 200mA (Ta) 3.9 Ohm @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V 17pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
2N7002H-13
单位
$0.03
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RFQ
1,487
有现货
Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 370mW (Ta) N-Channel 60V 170mA (Ta) 7.5 Ohm @ 50mA, 5V 3V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V 26pF @ 25V 5V ±20V
2N7002H-7
单位
$0.04
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RFQ
2,711
有现货
Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 370mW (Ta) N-Channel 60V 170mA (Ta) 7.5 Ohm @ 50mA, 5V 3V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V 26pF @ 25V 5V ±20V
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