- 系列 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,472
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 720mW (Ta) | N-Channel | 30V | 5.8A (Ta) | 26.5 mOhm @ 5.8A, 10V | 1.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 860pF @ 15V | 2.5V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,998
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 1.25W (Ta) | N-Channel | 25V | 5.8A (Ta) | 24 mOhm @ 5.8A, 10V | 2.35V @ 10µA | 5.4nC @ 10V | 430pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,810
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23 | - | Not For New Designs | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 750mW (Ta) | N-Channel | 30V | 5.8A (Ta) | 30 mOhm @ 5.8A, 10V | 3V @ 250µA | 13.8nC @ 10V | 400.96pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,853
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 720mW (Ta) | N-Channel | 30V | 5.8A (Ta) | 26.5 mOhm @ 5.8A, 10V | 1.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 860pF @ 15V | 2.5V, 10V | ±12V |