- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
6 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,951
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220NIS | 35W (Tc) | P-Channel | 100V | 12A (Ta) | 210 mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 1mA | 48nC @ 10V | 1100pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
950
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | 35W (Tc) | P-Channel | 250V | 4.1A (Tc) | 1 Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 38nC @ 10V | 680pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,049
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 10A IPAK | DeepGATE™, STripFET™ VI | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | IPAK (TO-251) | 35W (Tc) | P-Channel | 60V | 10A (Tc) | 160 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 6.4nC @ 10V | 340pF @ 48V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,288
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | 35W (Tc) | P-Channel | 200V | 4.3A (Tc) | 800 mOhm @ 2.6A, 10V | 4V @ 250µA | 29nC @ 10V | 700pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,971
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | 35W (Tc) | P-Channel | 200V | 4.3A (Tc) | 800 mOhm @ 2.6A, 10V | 4V @ 250µA | 29nC @ 10V | 700pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
880
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | 35W (Tc) | P-Channel | 250V | 4.1A (Tc) | 1 Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 38nC @ 10V | 680pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1