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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFZ48Z
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RFQ
1,079
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 91W (Tc) N-Channel - 55V 61A (Tc) 11 mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 64nC @ 10V 1720pF @ 25V 10V ±20V
BUK7506-55B,127
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RFQ
2,851
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB TrenchMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 254W (Tc) N-Channel - 55V 75A (Tc) 6 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 64nC @ 10V 5100pF @ 25V 10V ±20V
IRFZ48ZPBF
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RFQ
3,054
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 91W (Tc) N-Channel - 55V 61A (Tc) 11 mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 64nC @ 10V 1720pF @ 25V 10V ±20V
SIHP14N60E-GE3
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$2.44
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RFQ
1,785
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB E Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 147W (Tc) N-Channel - 600V 13A (Tc) 309 mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 64nC @ 10V 1205pF @ 100V 10V ±30V
PSMN3R4-30PL,127
单位
$1.23
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RFQ
3,258
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 114W (Tc) N-Channel - 30V 100A (Tc) 3.4 mOhm @ 10A, 10V 2.15V @ 1mA 64nC @ 10V 3907pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
STP30N65M5
单位
$8.80
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RFQ
2,646
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 22A TO220 MDmesh™ V Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 140W (Tc) N-Channel - 650V 22A (Tc) 139 mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 64nC @ 10V 2880pF @ 100V 10V ±25V
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