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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	STP33N65M2	单位 $3.38	获得报价	PDF RFQ	3,173 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 24A TO220	MDmesh™ M2	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220	190W (Tc)	N-Channel	-	650V	24A (Tc)	140 mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	41.5nC @ 10V	1790pF @ 100V	10V	±25V
	STI33N65M2	单位 $3.42	获得报价	PDF RFQ	3,036 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK	MDmesh™ M2	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	I2PAK	190W (Tc)	N-Channel	-	650V	24A (Tc)	140 mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	41.5nC @ 10V	1790pF @ 100V	10V	±25V
	STB33N65M2		获得报价	PDF RFQ	3,655 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK	MDmesh™ M2	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	190W (Tc)	N-Channel	-	650V	24A (Tc)	140 mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	41.5nC @ 10V	1790pF @ 100V	10V	±25V
	STB33N65M2	单位 $3.28	获得报价	PDF RFQ	1,405 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK	MDmesh™ M2	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	190W (Tc)	N-Channel	-	650V	24A (Tc)	140 mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	41.5nC @ 10V	1790pF @ 100V	10V	±25V
	STB33N65M2	单位 $1.59	获得报价	PDF RFQ	2,338 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK	MDmesh™ M2	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	190W (Tc)	N-Channel	-	650V	24A (Tc)	140 mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	41.5nC @ 10V	1790pF @ 100V	10V	±25V
	STF33N65M2	单位 $3.45	获得报价	PDF RFQ	1,776 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP	MDmesh™ M2	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220FP	34W (Tc)	N-Channel	-	650V	24A (Tc)	140 mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	41.5nC @ 10V	1790pF @ 100V	10V	±25V

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