- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,774
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP | MDmesh™ M2 | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Full Pack, I²Pak | I2PAKFP (TO-281) | 25W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 9A (Tc) | 450 mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16nC @ 10V | 538pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,348
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP | MDmesh™ M2 | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Full Pack, I²Pak | I2PAKFP (TO-281) | 25W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 11A (Tc) | 378 mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | 590pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,513
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP | MDmesh™ M2 | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Full Pack, I²Pak | I2PAKFP (TO-281) | 25W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 10A (Tc) | 430 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 17nC @ 10V | 590pF @ 100V | 10V | ±25V |
粤ICP备2022113175号-1