- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
746
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262 | 1.8W (Ta), 143W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 82A (Tc) | 4.2 mOhm @ 41A, 10V | 4V @ 250µA | 160nC @ 10V | 9750pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,121
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | U-MOSIX-H | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220SIS | 36W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 82A (Tc) | 3.8 mOhm @ 30A, 4.5V | 2.4V @ 500µA | 63.4nC @ 10V | 4670pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V |