- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
- Vgs（最大值） :
5 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,274
有现货
|
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB | - | Active | Tube | SiCFET (Silicon Carbide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 165W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 29A (Tc) | 156 mOhm @ 10A, 18V | 4V @ 3.3mA | 61nC @ 18V | 1200pF @ 500V | 18V | +22V, -6V | ||
|
|
获得报价 |
3,749
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 | STripFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 150W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 40A (Tc) | 33 mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 64nC @ 5V | 2300pF @ 25V | 5V, 10V | ±17V | ||
|
|
|
获得报价 |
919
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 | STripFET™ II | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 300W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 80A (Tc) | 4.5 mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110nC @ 4.5V | 5500pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
|
|
|
获得报价 |
1,904
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 38A TO-220 | STripFET™ II | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 80W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 38A (Tc) | 28 mOhm @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 58nC @ 10V | 980pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
|
获得报价 |
1,234
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 | STripFET™ V | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 70W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 80A (Tc) | 5.4 mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 14nC @ 5V | 1850pF @ 25V | 5V, 10V | ±22V |
粤ICP备2022113175号-1