- 供应商设备包 :
- FET型 :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
3,918
有现货
|
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TP-FA | 1W (Ta), 23W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 19A (Ta) | 59 mOhm @ 9.5A, 10V | - | 12nC @ 10V | 590pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
3,519
有现货
|
Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 19A LPTS | - | Not For New Designs | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | LPTS | 100W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 19A (Ta) | - | - | - | - | - | - | ||
|
|
获得报价 |
3,609
有现货
|
Sanken | MOSFET N-CH 100V 19A TO-252 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 37W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 19A (Ta) | 47.7 mOhm @ 9.3A, 10V | 2.5V @ 350µA | 23nC @ 10V | 1530pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
1,578
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 19A 8SOP | U-MOSVIII-H | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOP | 1W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 19A (Ta) | 6.2 mOhm @ 9A, 10V | 2.3V @ 200µA | 17nC @ 10V | 1400pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1