- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,468
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK | HEXFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 190W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 97A (Tc) | 8.8 mOhm @ 58A, 10V | 4V @ 100µA | 130nC @ 10V | 3540pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,302
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SC-100, SOT-669 | LFPAK56, Power-SO8 | 64W (Tc) | N-Channel | - | 25V | 97A (Tc) | 3.9 mOhm @ 20A, 10V | 1.95V @ 1mA | 21.6nC @ 10V | 1585pF @ 12V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,457
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 230W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 97A (Tc) | 9 mOhm @ 58A, 10V | 4V @ 150µA | 120nC @ 10V | 4820pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
804
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A TO252 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 136W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 97A (Tc) | 6.3 mOhm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250µA | 125nC @ 10V | 6060pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |