- 包装材料 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
811
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | PG-TO263-7-3 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 240A (Tc) | 0.76 mOhm @ 100A, 10V | 2.2V @ 230µA | 380nC @ 10V | 26000pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
|
|
获得报价 |
3,509
有现货
|
IXYS | MOSFET N-CH 100V 320A TO-247 | HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AD (IXFH) | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 320A (Tc) | 3.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 430nC @ 10V | 26000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
1,297
有现货
|
IXYS | MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 320A (Tc) | 3.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 430nC @ 10V | 26000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
2,754
有现货
|
IXYS | 40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO- | TrenchT4™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 940W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 440A (Tc) | 1.25 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 480nC @ 10V | 26000pF @ 25V | 10V | ±15V |