- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,057
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | PG-TO263-7-3 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 240A (Tc) | 0.87 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 230µA | 290nC @ 10V | 23000pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,089
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 | Polar™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | 1070W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 295A (Tc) | 5.5 mOhm @ 50A, 10V | 5V @ 8mA | 279nC @ 10V | 23000pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,974
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | PLUS264™ | 1500W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 300A (Tc) | 5.5 mOhm @ 50A, 10V | 5V @ 8mA | 279nC @ 10V | 23000pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,950
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | PG-TO263-7-3 | 250W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 180A (Tc) | 0.95 mOhm @ 100A, 10V | 2.2V @ 200µA | 300nC @ 10V | 23000pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V |