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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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$6.57
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RFQ
2,907
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IXYS MOSFET N-CH HiPerFET™, TrenchT2™ Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 880W (Tc) N-Channel - 175V 150A (Tc) 12 mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 1mA 233nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
IXFH150N17T2
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RFQ
1,844
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IXYS MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AD (IXFH) 880W (Tc) N-Channel - 175V 150A (Tc) 12 mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 1mA 233nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
FDB86360_SN00307
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1,372
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 333W (Tc) N-Channel - 80V 110A (Tc) 1.8 mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 253nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
IPB180N10S402ATMA1
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1,348
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) PG-TO263-7-3 300W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 2.5 mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 275µA 200nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
IPB180N10S402ATMA1
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3,700
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) PG-TO263-7-3 300W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 2.5 mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 275µA 200nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
IPB180N10S402ATMA1
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3,554
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) PG-TO263-7-3 300W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 2.5 mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 275µA 200nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
FDB86360-F085
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2,901
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 110A TO263 Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 333W (Tc) N-Channel - 80V 110A (Tc) 1.8 mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 253nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
FDB86360-F085
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$4.81
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RFQ
2,940
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 110A TO263 Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 333W (Tc) N-Channel - 80V 110A (Tc) 1.8 mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 253nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
FDB86360-F085
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$2.50
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RFQ
1,906
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 110A TO263 Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 333W (Tc) N-Channel - 80V 110A (Tc) 1.8 mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 253nC @ 10V 14600pF @ 25V 10V ±20V
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