- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,144
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 334A SMPD | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 24-PowerSMD, 21 Leads | 24-SMPD | 680W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 334A (Tc) | 2.6 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 8mA | 670nC @ 10V | 4700pF @ 10V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,120
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 | GigaMOS™ HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264AA (IXFK) | 1670W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 420A (Tc) | 2.6 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 8mA | 670nC @ 10V | 47000pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,391
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247 | GigaMOS™ HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PLUS247™-3 | 1670W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 420A (Tc) | 2.6 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 8mA | 670nC @ 10V | 47000pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,656
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 | GigaMOS™ HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | 1070W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 420A (Tc) | 2.3 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 8mA | 670nC @ 10V | 47000pF @ 25V | 10V | ±20V |