- 包装/箱 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,331
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC | StrongIRFET™ | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AC | 313W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 96A (Tc) | 12 mOhm @ 58A, 10V | 4V @ 270µA | 203nC @ 10V | 9915pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,380
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC | StrongIRFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AC | 556W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 182A (Tc) | 6.6 mOhm @ 82A, 10V | 4V @ 270µA | 203nC @ 10V | 9820pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,652
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 | PowerTrench® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 263W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 120A (Tc) | 5.5 mOhm @ 75A, 10V | 4.5V @ 250µA | 203nC @ 10V | 13280pF @ 25V | 10V | ±20V |