- 零件状态 :
- 包装材料 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,227
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 250W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 80A (Tc) | 6.5 mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 180µA | 157nC @ 10V | 5100pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,999
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 150W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 80A (Tc) | 6.5 mOhm @ 80A, 10V | 3.5V @ 90µA | 64nC @ 10V | 4910pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,638
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 100A (Tc) | 6.5 mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 250µA | 246nC @ 10V | 5400pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |