- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,624
有现货
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 108A | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227 | 405W (Tc) | N-Channel | 200V | 108A (Tc) | 14 mOhm @ 80A, 10V | 5.5V @ 250µA | 161nC @ 10V | 10720pF @ 50V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,435
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB | Automotive, AEC-Q101 | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 2.4W (Ta), 166W (Tc) | N-Channel | 100V | 108A (Tc) | 9.5 mOhm @ 13A, 10V | 3.5V @ 250µA | 53.7nC @ 10V | 2592pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,429
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 2.4W (Ta), 166W (Tc) | N-Channel | 100V | 108A (Tc) | 9.5 mOhm @ 13A, 10V | 3.5V @ 250µA | 53.7nC @ 10V | 2592pF @ 50V | 10V | ±20V |