- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,696
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | 1.3W (Ta) | N-Channel | 100V | 1A (Ta) | 540 mOhm @ 600mA, 5V | 2V @ 250µA | 6.1nC @ 5V | 250pF @ 25V | 4V, 5V | ±10V | ||
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获得报价 |
2,811
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | 1.3W (Ta) | N-Channel | 100V | 1.3A (Ta) | 270 mOhm @ 780mA, 5V | 2V @ 250µA | 12nC @ 5V | 490pF @ 25V | 4V, 5V | ±10V |