- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
775
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PLUS247™-3 | 830W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 200A (Tc) | 7.5 mOhm @ 100A, 10V | 5V @ 8mA | 235nC @ 10V | 7600pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,030
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264AA (IXFK) | 830W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 200A (Tc) | 7.5 mOhm @ 100A, 10V | 5V @ 8mA | 235nC @ 10V | 7600pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
.jpg)
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获得报价 |
1,625
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 16A TO-247 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 (IXTH) | 830W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 100V | 16A (Tc) | 64 mOhm @ 8A, 0V | - | 225nC @ 5V | 5700pF @ 25V | 0V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,414
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 830W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 100V | 16A (Tc) | 64 mOhm @ 8A, 0V | - | 225nC @ 5V | 5700pF @ 25V | 0V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,766
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B | HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | 830W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 360A (Tc) | 2.6 mOhm @ 180A, 10V | 4.5V @ 250µA | 505nC @ 10V | 36000pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1