- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,168
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A IPAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | IPAK (TO-251) | 140W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 42A (Tc) | 14 mOhm @ 38A, 10V | 2.5V @ 100µA | 48nC @ 4.5V | 3980pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
3,585
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | IPAK (TO-251) | 79W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 17A (Tc) | 105 mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 34nC @ 5V | 800pF @ 25V | 4V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
742
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | IPAK (TO-251) | 48W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 10A (Tc) | 185 mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 250µA | 20nC @ 5V | 440pF @ 25V | 4V, 10V | ±16V |