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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SUD35N10-26P-T4GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 35A TO252 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 8.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 35A (Tc) 26 mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47nC @ 10V 2000pF @ 12V 7V, 10V ±20V
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3, Short Tab I2PAK 183W (Ta) N-Channel - 100V 97A (Ta) 8.8 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 44.5nC @ 10V 3181pF @ 50V 7V, 10V ±20V
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3,027
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 183W (Ta) N-Channel - 100V 98A (Ta) 8.7 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 44.5nC @ 10V 3181pF @ 50V 7V, 10V ±20V
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1,783
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3, Short Tab I2PAK 111W (Ta) N-Channel - 100V 53A (Ta) 18 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 21.4nC @ 10V 1482pF @ 50V 7V, 10V ±20V
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601
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 111W (Ta) N-Channel - 100V 53A (Ta) 18 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 21.4nC @ 10V 1482pF @ 50V 7V, 10V ±20V
SUD35N10-26P-E3
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3,388
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 35A TO252 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 8.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 35A (Tc) 26 mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47nC @ 10V 2000pF @ 12V 7V, 10V ±20V
SUD35N10-26P-E3
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3,670
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 35A TO252 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 8.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 35A (Tc) 26 mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47nC @ 10V 2000pF @ 12V 7V, 10V ±20V
SUD35N10-26P-E3
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3,750
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 35A TO252 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 8.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 35A (Tc) 26 mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47nC @ 10V 2000pF @ 12V 7V, 10V ±20V
SUD35N10-26P-GE3
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2,506
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 35A DPAK TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 8.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 35A (Tc) 26 mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47nC @ 10V 2000pF @ 12V 7V, 10V ±20V
SUD35N10-26P-GE3
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$2.21
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RFQ
1,842
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 35A DPAK TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 8.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 35A (Tc) 26 mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47nC @ 10V 2000pF @ 12V 7V, 10V ±20V
SUD35N10-26P-GE3
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1,500
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 35A DPAK TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 8.3W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 35A (Tc) 26 mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47nC @ 10V 2000pF @ 12V 7V, 10V ±20V
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