晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	FQPF12P10		获得报价	PDF RFQ	2,853 有现货	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F	QFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220F	38W (Tc)	P-Channel	-	100V	8.2A (Tc)	290 mOhm @ 4.1A, 10V	4V @ 250µA	27nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±30V
	IRL530NL		获得报价	PDF RFQ	3,984 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 17A TO-262	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	3.8W (Ta), 79W (Tc)	N-Channel	-	100V	17A (Tc)	100 mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	800pF @ 25V	4V, 10V	±20V
	IRLI530N		获得报价	PDF RFQ	2,374 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220AB Full-Pak	41W (Tc)	N-Channel	-	100V	12A (Tc)	100 mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	800pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	94-2310		获得报价	PDF RFQ	1,266 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 79W (Tc)	N-Channel	-	100V	17A (Tc)	100 mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	800pF @ 25V	4V, 10V	±20V
	AUIRLR3410		获得报价	PDF RFQ	991 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK	HEXFET®	Discontinued at Digi-Key	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-Pak	79W (Tc)	N-Channel	-	100V	17A (Tc)	105 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	800pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	IRL530NSPBF		获得报价	PDF RFQ	941 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK	HEXFET®	Discontinued at Digi-Key	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.8W (Ta), 79W (Tc)	N-Channel	-	100V	17A (Tc)	100 mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	800pF @ 25V	4V, 10V	±20V
	IRLR3410PBF	单位 $1.04	获得报价	PDF RFQ	3,418 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK	HEXFET®	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-Pak	79W (Tc)	N-Channel	-	100V	17A (Tc)	105 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	800pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	FQP12P10	单位 $1.45	获得报价	PDF RFQ	2,633 有现货	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220	QFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	75W (Tc)	P-Channel	-	100V	11.5A (Tc)	290 mOhm @ 5.75A, 10V	4V @ 250µA	27nC @ 10V	800pF @ 25V	10V	±30V
	IRL530NPBF	单位 $1.08	获得报价	PDF RFQ	2,638 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	79W (Tc)	N-Channel	-	100V	17A (Tc)	100 mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	800pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	IRLU3410PBF	单位 $1.04	获得报价	PDF RFQ	3,585 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	IPAK (TO-251)	79W (Tc)	N-Channel	-	100V	17A (Tc)	105 mOhm @ 10A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	800pF @ 25V	4V, 10V	±16V
	IRLI530NPBF	单位 $1.36	获得报价	PDF RFQ	1,457 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220AB Full-Pak	41W (Tc)	N-Channel	-	100V	12A (Tc)	100 mOhm @ 9A, 10V	2V @ 250µA	34nC @ 5V	800pF @ 25V	4V, 10V	±16V

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