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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXFR200N10P
单位
$11.06
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RFQ
2,690
有现货
IXYS MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 HiPerFET™, PolarP2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ 300W (Tc) N-Channel - 100V 133A (Tc) 9 mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 235nC @ 10V 7600pF @ 25V 10V ±20V
IXTR200N10P
单位
$10.81
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RFQ
3,263
有现货
IXYS MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 HiPerFET™, PolarP2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ 300W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 8 mOhm @ 60A, 10V 5V @ 500µA 235nC @ 10V 7600pF @ 25V 10V ±20V
IXFX200N10P
单位
$9.95
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RFQ
775
有现货
IXYS MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 HiPerFET™, PolarP2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PLUS247™-3 830W (Tc) N-Channel - 100V 200A (Tc) 7.5 mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 235nC @ 10V 7600pF @ 25V 10V ±20V
IXFK200N10P
单位
$9.59
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RFQ
1,030
有现货
IXYS MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 HiPerFET™, PolarP2™ Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264AA (IXFK) 830W (Tc) N-Channel - 100V 200A (Tc) 7.5 mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 235nC @ 10V 7600pF @ 25V 10V ±20V
IXFN200N10P
单位
$17.44
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RFQ
1,336
有现货
IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B Polar™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 680W (Tc) N-Channel - 100V 200A (Tc) 7.5 mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 235nC @ 10V 7600pF @ 25V 10V ±20V
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