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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPI70N10S312AKSA1
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2,551
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA PG-TO262-3 125W (Tc) N-Channel - 100V 70A (Tc) 11.6 mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66nC @ 10V 4355pF @ 25V 10V ±20V
PHB47NQ10T,118
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1,324
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 166W (Tc) N-Channel - 100V 47A (Tc) 28 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 66nC @ 10V 3100pF @ 25V 10V ±20V
PHB47NQ10T,118
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699
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK TrenchMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 166W (Tc) N-Channel - 100V 47A (Tc) 28 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 66nC @ 10V 3100pF @ 25V 10V ±20V
PHB47NQ10T,118
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616
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK TrenchMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 166W (Tc) N-Channel - 100V 47A (Tc) 28 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 66nC @ 10V 3100pF @ 25V 10V ±20V
IPB70N10S312ATMA1
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993
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 125W (Tc) N-Channel - 100V 70A (Tc) 11.3 mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66nC @ 10V 4355pF @ 25V 10V ±20V
IPB70N10S312ATMA1
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2,480
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 125W (Tc) N-Channel - 100V 70A (Tc) 11.3 mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66nC @ 10V 4355pF @ 25V 10V ±20V
IPB70N10S312ATMA1
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3,007
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 125W (Tc) N-Channel - 100V 70A (Tc) 11.3 mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66nC @ 10V 4355pF @ 25V 10V ±20V
NVD6824NLT4G-VF01
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1,657
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 40A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 3.9W (Ta), 90W (Tc) N-Channel - 100V 8.5A (Ta), 41A (Tc) 20 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 66nC @ 10V 3468pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
NVD6824NLT4G-VF01
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2,747
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 40A DPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 3.9W (Ta), 90W (Tc) N-Channel - 100V 8.5A (Ta), 41A (Tc) 20 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 66nC @ 10V 3468pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
NVD6824NLT4G-VF01
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RFQ
861
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 40A DPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 3.9W (Ta), 90W (Tc) N-Channel - 100V 8.5A (Ta), 41A (Tc) 20 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 66nC @ 10V 3468pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPP70N10S312AKSA1
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$1.66
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RFQ
611
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 OptiMOS™ Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3-1 125W (Tc) N-Channel - 100V 70A (Tc) 11.6 mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66nC @ 10V 4355pF @ 25V 10V ±20V
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