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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BUK755R4-100E,127
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RFQ
2,027
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 349W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 5.2 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 180nC @ 10V 11810pF @ 25V 10V ±20V
AUIRFB4410
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 200W (Tc) N-Channel - 100V 75A (Tc) 10 mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 180nC @ 10V 5150pF @ 50V 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 375W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 9.5 mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 180nC @ 10V 8645pF @ 25V 10V ±20V
IRFB4410
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 250W (Tc) N-Channel - 100V 96A (Tc) 10 mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 180nC @ 10V 5150pF @ 50V 10V ±20V
STP315N10F7
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 315W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 2.7 mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 180nC @ 10V 12800pF @ 25V 10V ±20V
STP310N10F7
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STMicroelectronics MOSFET N CH 100V 180A TO-220 DeepGATE™, STripFET™ VII Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 315W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 2.7 mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 250µA 180nC @ 10V 12800pF @ 25V 10V ±20V
IRFB4410PBF
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RFQ
2,381
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 200W (Tc) N-Channel - 100V 88A (Tc) 10 mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 180nC @ 10V 5150pF @ 50V 10V ±20V
IRF5210PBF
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 200W (Tc) P-Channel - 100V 40A (Tc) 60 mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 180nC @ 10V 2700pF @ 25V 10V ±20V
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