- 系列 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,156
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 75A TO-262 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262 | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | N-Channel | 100V | 75A (Tc) | 14 mOhm @ 45A, 10V | 5.5V @ 250µA | 170nC @ 10V | 6160pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,150
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 338W (Tc) | N-Channel | 100V | 120A (Tc) | 4.3 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 170nC @ 10V | 9900pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,042
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120A TO-262 | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262 | 250W (Tc) | N-Channel | 100V | 120A (Tc) | 6 mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170nC @ 10V | 6860pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,986
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 338W (Tc) | N-Channel | 100V | 120A (Tc) | 5 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 170nC @ 10V | 9900pF @ 50V | 10V | ±20V |