- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,952
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB | TrenchMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 79W (Tc) | N-Channel | 100V | 17A (Tc) | 110 mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | 40nC @ 10V | 633pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,267
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V TO-220-3 | PowerTrench® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220-3 | 188W (Tc) | N-Channel | 100V | 96A (Tc) | 8.5 mOhm @ 96A, 10V | 4V @ 250µA | 40nC @ 10V | 2695pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,241
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A IPAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 71W (Tc) | N-Channel | 100V | 19A (Tc) | 74 mOhm @ 19A, 10V | 2.2V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1000pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,187
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 32A IPAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 100W (Tc) | N-Channel | 100V | 32A (Tc) | 37 mOhm @ 32A, 10V | 4V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1450pF @ 25V | 10V | ±20V |