- 系列 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
972
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3 | OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | PG-TO262-3 | 125W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 67A (Tc) | 12.9 mOhm @ 67A, 10V | 4V @ 83µA | 65nC @ 10V | 4320pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,932
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK | SIPMOS® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | PG-TO262-3-1 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 35A (Tc) | 44 mOhm @ 26.4A, 10V | 4V @ 83µA | 65nC @ 10V | 1570pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,551
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 | OptiMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | PG-TO262-3 | 125W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 70A (Tc) | 11.6 mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 83µA | 66nC @ 10V | 4355pF @ 25V | 10V | ±20V |