- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,543
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 48A TO-247 | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 180W (Tc) | N-Channel | 100V | 48A (Tc) | 39 mOhm @ 24A, 10V | 4V @ 250µA | 62nC @ 10V | 1800pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,503
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 180W (Tc) | N-Channel | 100V | 48A (Tc) | 39 mOhm @ 24A, 10V | 4V @ 250µA | 62nC @ 10V | 1800pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,876
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 21A TO-247AC | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247-3 | 180W (Tc) | P-Channel | 100V | 21A (Tc) | 200 mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 61nC @ 10V | 1400pF @ 25V | 10V | ±20V |