- 系列 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,052
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220FP | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | 30W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 5.5A (Tc) | 480 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 27nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,302
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220AB Full-Pak | 30W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 7.6A (Tc) | 200 mOhm @ 4.3A, 10V | 4V @ 250µA | 25nC @ 10V | 330pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,523
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 30W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 8.7A (Tc) | 180 mOhm @ 4.35A, 10V | 4V @ 250µA | 16nC @ 10V | 450pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,334
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 30W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 8.7A (Tc) | 180 mOhm @ 4.35A, 10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 5V | 520pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V |