- 包装材料 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,564
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 250W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 120A (Tc) | 3.5 mOhm @ 100A, 10V | 3.5V @ 180µA | 140nC @ 10V | 10120pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,509
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 320A TO-247 | HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AD (IXFH) | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 320A (Tc) | 3.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 430nC @ 10V | 26000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,297
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 320A (Tc) | 3.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 430nC @ 10V | 26000pF @ 25V | 10V | ±20V |