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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO-262 HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK HEXFET® Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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2,001
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC HEXFET® Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 280W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
AUIRFS4310Z
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 127A D2PAK HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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