- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,727
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 480W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 6 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 185nC @ 10V | 10500pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,325
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 | TrenchMV™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 480W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 6.4 mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 250µA | 151nC @ 10V | 6900pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
2,816
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 370W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 4.3 mOhm @ 110A, 10V | 2.5V @ 250µA | 130nC @ 4.5V | 11360pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±16V |