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驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BUK956R1-100E,127
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB TrenchMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 349W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 5.9 mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 133nC @ 5V 17460pF @ 25V 5V, 10V ±10V
BUK755R4-100E,127
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 349W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 5.2 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 180nC @ 10V 11810pF @ 25V 10V ±20V
IRFB4310ZGPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 375W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 9.5 mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 180nC @ 10V 8645pF @ 25V 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB - Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 3.8 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 190nC @ 10V 7230pF @ 25V 10V ±20V
IRFB4110PBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 370W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 4.5 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210nC @ 10V 9620pF @ 50V 10V ±20V
PSMN4R3-100PS,127
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 338W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 4.3 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 170nC @ 10V 9900pF @ 50V 10V ±20V
FDP047N10
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 PowerTrench® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 375W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 4.7 mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 210nC @ 10V 15265pF @ 25V 10V ±20V
SUP70040E-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB TrenchFET® Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 375W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 4 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120nC @ 10V 5100pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
IRFB4110GPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB HEXFET® Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 370W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 4.5 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210nC @ 10V 9620pF @ 50V 10V ±20V
FDP054N10
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 PowerTrench® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 263W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 5.5 mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 203nC @ 10V 13280pF @ 25V 10V ±20V
IRFB4310ZPBF
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2,001
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
PSMN5R0-100PS,127
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2,840
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 338W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 5 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 170nC @ 10V 9900pF @ 50V 10V ±20V
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3,201
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 375W (Tc) P-Channel - 100V 120A (Tc) - 2.5V @ 250µA 190nC @ 10V 7000pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
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