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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FQPF17P10
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RFQ
3,994
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220F QFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 41W (Tc) P-Channel - 100V 10.5A (Tc) 190 mOhm @ 5.25A, 10V 4V @ 250µA 39nC @ 10V 1100pF @ 25V 10V ±30V
IRLI530N
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RFQ
2,374
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 41W (Tc) N-Channel - 100V 12A (Tc) 100 mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34nC @ 5V 800pF @ 25V 4V, 10V ±16V
IRFI530N
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RFQ
3,052
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 41W (Tc) N-Channel - 100V 12A (Tc) 110 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44nC @ 10V 640pF @ 25V 10V ±20V
IPA030N10N3GXKSA1
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$3.17
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220-FP 41W (Tc) N-Channel - 100V 79A (Tc) 3 mOhm @ 79A, 10V 3.5V @ 270µA 206nC @ 10V 14800pF @ 50V 6V, 10V ±20V
FQPF33N10
单位
$1.98
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RFQ
1,148
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F QFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 41W (Tc) N-Channel - 100V 18A (Tc) 52 mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 51nC @ 10V 1500pF @ 25V 10V ±25V
IRFI530NPBF
单位
$1.31
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RFQ
3,795
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 41W (Tc) N-Channel - 100V 12A (Tc) 110 mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 44nC @ 10V 640pF @ 25V 10V ±20V
FQPF33N10L
单位
$1.45
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RFQ
2,961
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F QFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 41W (Tc) N-Channel - 100V 18A (Tc) 52 mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 40nC @ 5V 1630pF @ 25V 5V, 10V ±20V
IRLI530NPBF
单位
$1.36
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RFQ
1,457
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 41W (Tc) N-Channel - 100V 12A (Tc) 100 mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34nC @ 5V 800pF @ 25V 4V, 10V ±16V
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