- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,381
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 | SIPMOS® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 10.3A (Tc) | 154 mOhm @ 8.1A, 10V | 2V @ 21µA | 22nC @ 10V | 444pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,580
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 | SIPMOS® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 10.3A (Tc) | 170 mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 21µA | 19.4nC @ 10V | 426pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,151
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB | STripFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 32A (Tc) | 24 mOhm @ 16A, 10V | 4.5V @ 250µA | 19nC @ 10V | 1270pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
605
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 25A TO-220 | DeepGATE™, STripFET™ VII | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 50W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 25A (Tc) | 35 mOhm @ 12.5A, 10V | 4.5V @ 250µA | 14nC @ 10V | 920pF @ 50V | 10V | ±20V |