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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXFA130N10T2
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$3.14
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1,322
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IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (IXFA) 360W (Tc) N-Channel - 100V 130A (Tc) 9.1 mOhm @ 65A, 10V 4.5V @ 1mA 130nC @ 10V 6600pF @ 25V 10V ±20V
IRF3710STRRPBF
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$0.87
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RFQ
1,521
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK HEXFET® Not For New Designs Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 200W (Tc) N-Channel - 100V 57A (Tc) 23 mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130nC @ 10V 3130pF @ 25V 10V ±20V
IRF3710STRR
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RFQ
3,409
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 200W (Tc) N-Channel - 100V 57A (Tc) 23 mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130nC @ 10V 3130pF @ 25V 10V ±20V
HUFA75639S3ST
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RFQ
2,572
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 200W (Tc) N-Channel - 100V 56A (Tc) 25 mOhm @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130nC @ 10V 2000pF @ 25V 10V ±20V
HUFA75639S3ST
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$2.55
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RFQ
918
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 200W (Tc) N-Channel - 100V 56A (Tc) 25 mOhm @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130nC @ 10V 2000pF @ 25V 10V ±20V
HUFA75639S3ST
单位
$1.26
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RFQ
1,008
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 200W (Tc) N-Channel - 100V 56A (Tc) 25 mOhm @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130nC @ 10V 2000pF @ 25V 10V ±20V
IRF3710STRLPBF
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RFQ
805
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 200W (Tc) N-Channel - 100V 57A (Tc) 23 mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130nC @ 10V 3130pF @ 25V 10V ±20V
IRF3710STRLPBF
单位
$1.70
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RFQ
3,604
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 200W (Tc) N-Channel - 100V 57A (Tc) 23 mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130nC @ 10V 3130pF @ 25V 10V ±20V
IRF3710STRLPBF
单位
$0.87
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RFQ
1,254
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 200W (Tc) N-Channel - 100V 57A (Tc) 23 mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130nC @ 10V 3130pF @ 25V 10V ±20V
IRF3710SPBF
单位
$1.80
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1,703
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK HEXFET® Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 200W (Tc) N-Channel - 100V 57A (Tc) 23 mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130nC @ 10V 3130pF @ 25V 10V ±20V
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