- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,345
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 183W (Tj) | N-Channel | - | 100V | 39A (Tc) | 35 mOhm @ 39A, 10V | 3V @ 250µA | 63nC @ 10V | 1810pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
1,909
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ | Last Time Buy | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263) | 200W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 56A (Tc) | 25 mOhm @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130nC @ 20V | 2000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
918
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 200W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 56A (Tc) | 25 mOhm @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130nC @ 10V | 2000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,873
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 310W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 75A (Tc) | 14 mOhm @ 75A, 10V | 3V @ 250µA | 153nC @ 10V | 4400pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V |