晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IXTA80N10T7		获得报价	PDF RFQ	604 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7	TrenchMV™	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	TO-263-7 (IXTA..7)	230W (Tc)	N-Channel	-	100V	80A (Tc)	14 mOhm @ 25A, 10V	4.5V @ 100µA	60nC @ 10V	3040pF @ 25V	10V	±30V
	IXTA180N10T7	单位 $3.42	获得报价	PDF RFQ	2,280 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7	TrenchMV™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	TO-263-7 (IXTA..7)	480W (Tc)	N-Channel	-	100V	180A (Tc)	6.4 mOhm @ 25A, 10V	4.5V @ 250µA	151nC @ 10V	6900pF @ 25V	10V	±30V
	IPB039N10N3GE8187ATMA1	单位 $1.57	获得报价	PDF RFQ	1,892 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7	OptiMOS™	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	PG-TO263-7	214W (Tc)	N-Channel	-	100V	160A (Tc)	3.9 mOhm @ 100A, 10V	3.5V @ 160µA	117nC @ 10V	8410pF @ 50V	6V, 10V	±20V
	IXTA130N10T7	单位 $2.37	获得报价	PDF RFQ	2,878 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7	TrenchMV™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	TO-263 (IXTA)	360W (Tc)	N-Channel	-	100V	130A (Tc)	9.1 mOhm @ 25A, 10V	4.5V @ 250µA	104nC @ 10V	5080pF @ 25V	10V	±20V
	IRFS4010-7PPBF		获得报价	PDF RFQ	1,754 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	HEXFET®	Discontinued at Digi-Key	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	D2PAK	380W (Tc)	N-Channel	-	100V	190A (Tc)	4 mOhm @ 110A, 10V	4V @ 250µA	230nC @ 10V	9830pF @ 50V	10V	±20V
	IPB039N10N3GATMA1		获得报价	PDF RFQ	681 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7	OptiMOS™	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	PG-TO263-7	214W (Tc)	N-Channel	-	100V	160A (Tc)	3.9 mOhm @ 100A, 10V	3.5V @ 160µA	117nC @ 10V	8410pF @ 50V	6V, 10V	±20V
	IPB039N10N3GATMA1	单位 $2.97	获得报价	PDF RFQ	1,501 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7	OptiMOS™	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	PG-TO263-7	214W (Tc)	N-Channel	-	100V	160A (Tc)	3.9 mOhm @ 100A, 10V	3.5V @ 160µA	117nC @ 10V	8410pF @ 50V	6V, 10V	±20V
	IPB039N10N3GATMA1	单位 $1.35	获得报价	PDF RFQ	3,250 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7	OptiMOS™	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	PG-TO263-7	214W (Tc)	N-Channel	-	100V	160A (Tc)	3.9 mOhm @ 100A, 10V	3.5V @ 160µA	117nC @ 10V	8410pF @ 50V	6V, 10V	±20V
	IRLS4030TRL7PP		获得报价	PDF RFQ	3,711 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	D2PAK (7-Lead)	370W (Tc)	N-Channel	-	100V	190A (Tc)	3.9 mOhm @ 110A, 10V	2.5V @ 250µA	140nC @ 4.5V	11490pF @ 50V	4.5V, 10V	±16V
	IRLS4030TRL7PP	单位 $5.22	获得报价	PDF RFQ	3,983 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	HEXFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	D2PAK (7-Lead)	370W (Tc)	N-Channel	-	100V	190A (Tc)	3.9 mOhm @ 110A, 10V	2.5V @ 250µA	140nC @ 4.5V	11490pF @ 50V	4.5V, 10V	±16V
	IRLS4030TRL7PP	单位 $2.71	获得报价	PDF RFQ	2,486 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	HEXFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	D2PAK (7-Lead)	370W (Tc)	N-Channel	-	100V	190A (Tc)	3.9 mOhm @ 110A, 10V	2.5V @ 250µA	140nC @ 4.5V	11490pF @ 50V	4.5V, 10V	±16V
	IXTA160N10T7	单位 $3.05	获得报价	PDF RFQ	1,705 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7	TrenchMV™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	TO-263-7 (IXTA..7)	430W (Tc)	N-Channel	-	100V	160A (Tc)	7 mOhm @ 25A, 10V	4.5V @ 1mA	132nC @ 10V	6600pF @ 25V	10V	±30V
	IRLS4030-7PPBF	单位 $6.49	获得报价	PDF RFQ	2,595 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	HEXFET®	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	D2PAK (7-Lead)	370W (Tc)	N-Channel	-	100V	190A (Tc)	3.9 mOhm @ 110A, 10V	2.5V @ 250µA	140nC @ 4.5V	11490pF @ 50V	4.5V, 10V	±16V
	IRFS4010TRL7PP		获得报价	PDF RFQ	2,193 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	D2PAK	380W (Tc)	N-Channel	-	100V	190A (Tc)	4 mOhm @ 110A, 10V	4V @ 250µA	230nC @ 10V	9830pF @ 50V	10V	±20V
	IRFS4010TRL7PP	单位 $4.19	获得报价	PDF RFQ	3,436 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	HEXFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	D2PAK	380W (Tc)	N-Channel	-	100V	190A (Tc)	4 mOhm @ 110A, 10V	4V @ 250µA	230nC @ 10V	9830pF @ 50V	10V	±20V
	IRFS4010TRL7PP	单位 $2.18	获得报价	PDF RFQ	2,963 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	HEXFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	D2PAK	380W (Tc)	N-Channel	-	100V	190A (Tc)	4 mOhm @ 110A, 10V	4V @ 250µA	230nC @ 10V	9830pF @ 50V	10V	±20V

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