- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,906
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 | HiPerFET™, PolarHT™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 600W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 140A (Tc) | 11 mOhm @ 70A, 10V | 5V @ 4mA | 155nC @ 10V | 4700pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,642
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | PolarHT™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 480W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 110A (Tc) | 15 mOhm @ 500mA, 10V | 5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 3550pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,414
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 830W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 100V | 16A (Tc) | 64 mOhm @ 8A, 0V | - | 225nC @ 5V | 5700pF @ 25V | 0V | ±20V | ||
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获得报价 |
964
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 | Polar™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 715W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 170A (Tc) | 9 mOhm @ 500mA, 10V | 5V @ 250µA | 198nC @ 10V | 6000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,194
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 | PolarHT™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 600W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 140A (Tc) | 11 mOhm @ 70A, 10V | 5V @ 250µA | 155nC @ 10V | 4700pF @ 25V | 10V, 15V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,297
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 320A (Tc) | 3.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 430nC @ 10V | 26000pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1