- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,032
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP | OptiMOS™ | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | PG-TO220FP | 30W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 28A (Tc) | 18 mOhm @ 28A, 10V | 3.5V @ 35µA | 25nC @ 10V | 1800pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,302
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220AB Full-Pak | 30W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 7.6A (Tc) | 200 mOhm @ 4.3A, 10V | 4V @ 250µA | 25nC @ 10V | 330pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,571
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 38W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 13.6A (Tc) | 100 mOhm @ 6.8A, 10V | 4V @ 250µA | 25nC @ 10V | 780pF @ 25V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
996
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 30A TO-220FP | DeepGATE™, STripFET™ VII | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220FP | 25W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 30A (Tc) | 18 mOhm @ 15A, 10V | 4.5V @ 250µA | 25nC @ 10V | 1640pF @ 50V | 10V | 20V |