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功耗(最大) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
PSMN4R6-100XS,127
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220F 63.8W (Tc) N-Channel - 100V 70.4A (Tc) 4.6 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 153nC @ 10V 9900pF @ 50V 10V ±20V
HUFA76645S3ST
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK UltraFET™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 310W (Tc) N-Channel - 100V 75A (Tc) 14 mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 153nC @ 10V 4400pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
HUFA76645P3
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 75A TO-220A UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 310W (Tc) N-Channel - 100V 75A (Tc) 14 mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 153nC @ 10V 4400pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 310W (Tc) N-Channel - 100V 75A (Tc) 14 mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 153nC @ 10V 4400pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
HUF76645P3
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 310W (Tc) N-Channel - 100V 75A (Tc) 14 mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 153nC @ 10V 4400pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 310W (Tc) N-Channel - 100V 75A (Tc) 14 mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 153nC @ 10V 4400pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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