- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,903
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 120W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 18A (Tc) | 190 mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | 1100pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,289
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 12.4A TO-3PF | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | SC-94 | TO-3PF | 56W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 12.4A (Tc) | 190 mOhm @ 6.2A, 10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | 1100pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,994
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 41W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 10.5A (Tc) | 190 mOhm @ 5.25A, 10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | 1100pF @ 25V | 10V | ±30V |