- 包装材料 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,121
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | TrenchMOS™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 230W (Tc) | N-Channel | 100V | 75A (Tc) | 15 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | - | 6000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
604
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 | TrenchMV™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | TO-263-7 (IXTA..7) | 230W (Tc) | N-Channel | 100V | 80A (Tc) | 14 mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 100µA | 60nC @ 10V | 3040pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
818
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB | TrenchMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 230W (Tc) | N-Channel | 100V | 75A (Tc) | 14.4 mOhm @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | - | 8600pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±10V | ||
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获得报价 |
3,389
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247-3 | 230W (Tc) | N-Channel | 100V | 41A (Tc) | 55 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 140nC @ 10V | 2800pF @ 25V | 10V | ±20V |