晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
IXFN300N10P	单位 $28.97	获得报价	PDF RFQ	1,089 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227	Polar™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B	1070W (Tc)	N-Channel	-	100V	295A (Tc)	5.5 mOhm @ 50A, 10V	5V @ 8mA	279nC @ 10V	23000pF @ 25V	10V	±20V
IXTN200N10T	单位 $25.46	获得报价	PDF RFQ	3,868 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227	TrenchMV™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B	550W (Tc)	N-Channel	-	100V	200A (Tc)	5.5 mOhm @ 50A, 10V	4.5V @ 250µA	152nC @ 10V	9400pF @ 25V	10V	±20V
IXFN200N10P	单位 $17.44	获得报价	PDF RFQ	1,336 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B	Polar™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B	680W (Tc)	N-Channel	-	100V	200A (Tc)	7.5 mOhm @ 500mA, 10V	5V @ 8mA	235nC @ 10V	7600pF @ 25V	10V	±20V
IXFN420N10T	单位 $23.02	获得报价	PDF RFQ	3,656 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227	GigaMOS™ HiPerFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B	1070W (Tc)	N-Channel	-	100V	420A (Tc)	2.3 mOhm @ 60A, 10V	5V @ 8mA	670nC @ 10V	47000pF @ 25V	10V	±20V
VS-FC420SA10	单位 $21.79	获得报价	PDF RFQ	2,521 有现货	Vishay Semiconductor Diodes Division	POWER MODULE 100V 435A SOT-227	TrenchFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227	652W (Tc)	N-Channel	-	100V	435A (Tc)	2.15 mOhm @ 200A, 10V	3.8V @ 750µA	375nC @ 10V	17300pF @ 25V	10V	±20V
IXFN360N10T	单位 $18.89	获得报价	PDF RFQ	3,766 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B	HiPerFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B	830W (Tc)	N-Channel	-	100V	360A (Tc)	2.6 mOhm @ 180A, 10V	4.5V @ 250µA	505nC @ 10V	36000pF @ 25V	10V	±20V