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栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AOI482
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RFQ
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 32A TO251A - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251A 2.5W (Ta), 100W (Tc) N-Channel 100V 5A (Ta), 32A (Tc) 37 mOhm @ 10A, 10V 2.7V @ 250µA 44nC @ 10V 2000pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
AOI4126
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RFQ
2,261
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 7.5A TO251A SDMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251A 3W (Ta), 100W (Tc) N-Channel 100V 7.5A (Ta), 43A (Tc) 24 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 42nC @ 10V 2200pF @ 50V 7V, 10V ±25V
AOI4286
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 14A TO-251 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251A 2.5W (Ta), 30W (Tc) N-Channel 100V 4A (Ta), 14A (Tc) 68 mOhm @ 5A, 10V 2.9V @ 250µA 10nC @ 10V 390pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
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