- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,153
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | OptiMOS™ 3 | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | PG-TO262-3 | 150W (Tc) | N-Channel | 100V | 80A (Tc) | 7.2 mOhm @ 80A, 10V | 3.5V @ 90µA | 68nC @ 10V | 4910pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
840
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | OptiMOS™ 3 | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | PG-TO262-3 | 214W (Tc) | N-Channel | 100V | 137A (Tc) | 4.5 mOhm @ 100A, 10V | 3.5V @ 150µA | 117nC @ 10V | 8410pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |