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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 20A IPAK UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251AA 110W (Tc) N-Channel - 100V 20A (Tc) 52 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 46nC @ 10V 1285pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 20A IPAK UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251AA 110W (Tc) N-Channel - 100V 20A (Tc) 52 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 46nC @ 10V 1285pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 18A IPAK UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251AA 75W (Tc) N-Channel - 100V 18A (Tc) 85 mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 29nC @ 10V 767pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 16A TO-251AA UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251AA 64W (Tc) N-Channel - 100V 16A (Tc) 90 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 39nC @ 20V 570pF @ 25V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251AA 49W (Tc) N-Channel - 100V 10A (Tc) 160 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 16nC @ 10V 425pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA UltraFET™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251AA 49W (Tc) N-Channel - 100V 10A (Tc) 160 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 16nC @ 10V 425pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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